MOCVD是一種新型的氣相外延生長技術，它是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的，是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
 

　　氫氣發生器在MOCVD中的廣泛應用：
 

　　在MOCVD中，氫氣可以擔當載氣，將III(II)金屬有機物和V(VI)族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內，為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎，MOCVD要求氫氣純度≥99.999%(≥5N)，進口壓力為4-7bar，而氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。同時，氫氣純度穩定不變，減少了氫氣純度波動對設備的影響。
 

　　除此之外，設備操作便捷，保障氫氣供應連續不間斷，用戶無需擔心氫氣用完，也無需和高壓氣體鋼瓶接觸，發生器自動運行，無需額外人工操作；發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤，一旦偵測異常，發生器報警。下麵介紹MOCVD氫氣發生器相關信息。
 

　　MOCVD氫氣發生器由超純水機製取二級水，並儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時，自動供給至氫氣發生器。多台氫氣發生器可串聯使用，通過串聯控製線由一台發生器控製其他發生器，實現產氣均勻分配。(以兩台設備為例控製圖如下)